产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD112TF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 3V @ 40mA，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 1000 @ 2A，3V
- 供应商器件封装 :
- D-Pak
- 功率 - 最大值 :
- 1.75 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20µA
- 频率 - 跃迁 :
- 25MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342E07B8B66RTS
D55342E07B8E06RTS
D55342E07B8E25RTS
D55342E07B909ARTS
D55342E07B909EPTS
D55342E07B909ERTS
D55342E07B90B9RTS
D55342E07B953ARTS
D55342E07B976ARTS
D55342E07B97B6RTS
D55342E07B988ARTS
D55342E07B9B09RTS
D55342E07B9B31RTS
D55342E07B9B53RTS
D55342E07B9B65RTS
D55342E07B9B76RTS
D55342H07B100ARTS
D55342H07B100BPTS
D55342H07B100BRTS
D55342H07B100DRTS
