产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSB1116AYBU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 135 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 750 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PM0805-R47K-RC
TYS3012470M-10
LLXND6060YEL2R2NMG
LQW04AN9N1D00D
BWVF004040261R0M00
CBC3225T471MRV
LQM2MPZ1R0NG0L
CBC2518T6R8MV
PM0805-R56K-RC
TYS30124R7M-10
LLXND6060YEL1R8NMG
IHHP0806ABER1R5M01
BWVT00404012R50M00
NRH2412T1R0NNGHV
LQM2MPZ2R2NG0L
L02013R3BHSTR\500
PM1008-100K-RC
TYS3012680M-10
LSXND6060YEL220MMG
IHHP0806ABER2R2M01
