产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSB810YTA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 70mA，700mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92S
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 短体
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 700 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 160MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA0805A221FBBBT31G
GA0805A221FBCBR31G
GA0805A221FBCBT31G
GA0805A221FBEBR31G
GA0805A221FBEBT31G
GA0805A221FXABC31G
GA0805A221FXABP31G
GA0805A221FXBBC31G
GA0805A221FXBBP31G
GA0805A221FXCBC31G
GA0805A221FXCBP31G
GA0805A221FXEBR31G
GA0805A221FXEBT31G
GA0805A221GBABR31G
GA0805A221GBABT31G
GA0805A221GBBBR31G
GA0805A221GBBBT31G
GA0805A221GBCBR31G
GA0805A221GBCBT31G
GA0805A221GBEBR31G
