产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FZT855TC
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 355mV @ 500mA，5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1A，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 3 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1206Y184JBXBT31G
GA1206Y184JXABR31G
GA1206Y184JXABT31G
GA1206Y184JXBBR31G
GA1206Y184JXBBT31G
GA1206Y184JXJBR31G
GA1206Y184JXJBT31G
GA1206Y184JXXBR31G
GA1206Y184JXXBT31G
GA1206Y184KBABR31G
GA1206Y184KBABT31G
GA1206Y184KBBBR31G
GA1206Y184KBBBT31G
GA1206Y184KBJBR31G
GA1206Y184KBJBT31G
GA1206Y184KBXBR31G
GA1206Y184KBXBT31G
GA1206Y184KXABR31G
GA1206Y184KXABT31G
GA1206Y184KXBBR31G
