产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FZT657TC
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 50 @ 100mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223-3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 300 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1335E23-A4T2U3
S-1335E24-A4T2U3
S-1335E25-A4T2U3
S-1335E26-A4T2U3
S-1335E2J-A4T2U3
S-1335E30-A4T2U3
S-1335E31-A4T2U3
S-1335E32-A4T2U3
S-1335E34-A4T2U3
S-1335E35-A4T2U3
S-1335E36-A4T2U3
S-1335F10-A4T2U3
S-1335F11-A4T2U3
S-1335F12-A4T2U3
S-1335F13-A4T2U3
S-1335F14-A4T2U3
S-1335F15-A4T2U3
S-1335F16-A4T2U3
S-1335F17-A4T2U3
S-1335F18-A4T2U3
