文档与媒体
- 数据列表
- 2SD12660P
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.2V @ 375mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 1A，4V
- 供应商器件封装 :
- TO-220F-A1
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3 整包
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 300µA
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0603J1000101KAT
VJ0805A562GXJRW1BC
VJ0805A682GXJRW1BC
VJ0805A682GXQRW1BC
VJ0805A822GXJRW1BC
VJ1206Y274KXXRW1BC
VJ1206Y274MXXRW1BC
VJ1206Y334JXXRW1BC
RDER72E682K1K1H03B
1812N561J251CT
1812N561J201CT
1812N681K251CT
1812N821J251CT
1812N102K201CT
1812N821J201CT
FA24C0G2W391JNU00
VJ1206V154MXAPW1BC
GCG31CL81C475MA01K
CC1210KKX7R8BB334
1206J0160182MXT
