文档与媒体
- 数据列表
- 2SA20670PA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 375mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 1A，4V
- 供应商器件封装 :
- MT-4-A1
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
EFM32GG980F1024-QFP100
EFM32GG990F1024-BGA112
EFM32GG995F1024-BGA120
EFM32LG230F256-QFN64
EFM32LG290F256-BGA112
EFM32LG330F256-QFN64
EFM32LG940F256-QFN64
EFM32LG980F256-QFP100
EFM32LG990F256-BGA112
MAX31783ETM+T
MAX31783ETM+
AT32UC3A1256AU-AUR
AT32UC3A1512AU-AUR
AT91SAM7X256B-AU-999
AT91SAM7X512-AU-999
ATA6612P-PLQW
ATA6613P-PLQW
ATA6616-P3QW
ATA6617-P3QW
ATMEGA164P-B15AZ
