文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1938FSL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 100mV @ 3mA，30mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 500 @ 4mA，2V
- 供应商器件封装 :
- 迷你型3-G1
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C2012X7R2E102M085AE
GCM1885C1H5R6CA16D
GRT21BR72A473KE01L
MLASQ21GSB7223MTNA01
MLASQ21GSB7223KTNA01
MSASQ21GSB7223KTNA01
MSASQ21GSB7223MTNA01
CC1206KFX7R9BB184
GCM188R71E333JA37D
GCM188R71E273JA37D
GCM188R71E393JA37D
MLASH168SSD471KTNA01
MSASH168SSD471KTNA01
GCM1885G1H122FA16D
GCM219R92A153MA37D
GCM219R92A153KA37D
GCM1885G1H182FA16D
GCM1885G1H152FA16D
GCM219R92A223MA37D
GCM1885G1H222FA16D
