产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N2946AUB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- -
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 1mA，500mV
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 35 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5335D-B01623-GMR
SI5335D-B01626-GMR
SI5335D-B01680-GMR
SI5335D-B01685-GMR
SI5335D-B01690-GMR
SI5335D-B01729-GMR
SI5335D-B01730-GMR
SI5335D-B01740-GMR
SI5335D-B01799-GMR
SI5335D-B01871-GMR
SI5335D-B01873-GMR
SI5335D-B01890-GMR
SI5335D-B01896-GMR
SI5335D-B01930-GMR
SI5335D-B01971-GMR
SI5335D-B02031-GMR
SI5335D-B02036-GMR
SI5335D-B02044-GMR
SI5335D-B02064-GMR
SI5335D-B02105-GMR
