产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N3499UB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0603Y221KXACW1BC
06035C333KAT2A
C0805C180J5HAC7800
C0805C561K5HAC7800
C0805C471J5HAC7800
VJ0603Y331KXACW1BC
CGA1A1X7T0G104M030BC
08051C103KAT4A
06035C472K4T4A
CL10C100JC81PNC
CL05Y224KO5VPNC
CL10B472KC8WPNC
C0402C221J3GACAUTO
CGA2B2NP01H101J050BA
CL21A475KPFNNNG
CGA2B2NP01H330J050BA
CGA2B2NP01H060D050BA
CGA2B2NP01H070D050BA
04025A360JAT2A
CL21A475KPFNNNE
