产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N2219AE3
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-39
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 工作温度 :
- -55°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CGA4J2X5R1A155K125AA
UMJ212BB7223KGHT
FG28C0G2A121JNT06
C1220X5R1C224M085AC
CC1206KRX7R9BB562
GRM21AR72D472KW01D
C0603C221J4GAC7867
FG18C0G2A151JNT06
C0603C200J5GAC7867
CL32A476KPJNNNE
GRM155R60J156ME05D
0402X474K100CT
VJ1206Y102KXXPW1BC
VJ1206A2R7DXAPW1BC
CGAEA3X7T0G104M030BB
04023A8R2BAT2A
06033C104MAT4A
04025A3R3JAT2A
04025A7R5BAT2A
C1005JB1A155M050BC
