产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS12601CF8T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 120mV @ 400mA，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- ChipFET™
- 功率 - 最大值 :
- 830 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CRCW0201121KFKED
CRCW0201124KFKED
CRCW0201127KFKED
CRCW0201130KFKED
CRCW0201133KFKED
CRCW0201137KFKED
CRCW0201140KFKED
CRCW0201143KFKED
CRCW0201147KFKED
CRCW0201154KFKED
CRCW0201158KFKED
CRCW0201160KFKED
CRCW0201162KFKED
CRCW0201165KFKED
CRCW0201169KFKED
CRCW0201174KFKED
CRCW0201178KFKED
CRCW0201180KFKED
CRCW0201187KFKED
CRCW0201191KFKED
