产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC848CT116
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SST3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
QXK2E474JTP7ZHFP
QXK2E474JTPTZH
BFC246867563
QXK2E105KTP7FM
QXK2E105KTP7ZHFP
BFC233918183
BFC233990074
716P33256JA3
ECW-H12113RHV
ECW-H12103RHV
160684J100G-F
171104J400H-F
171154J250G-F
B32522C0475J289
QXP2J473JRPT
MKP385322160JIM2T0
MKP385322160JIP2T0
MKP385368085JC02Z0
MKP385415063JC02Z0
F340Y234730KIM2T0
