文档与媒体
- 数据列表
- PBHV8110DW_R2_00001
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 450mV @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 140 @ 150mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 2.6 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRM0336S1E270JD01D
GRM0336S1E2R0CD01D
GRM0336S1E2R1CD01D
GRM0336S1E2R2CD01D
GRM0336S1E2R3CD01D
GRM0336S1E2R4CD01D
GRM0336S1E2R5CD01D
GRM0336S1E2R6CD01D
GRM0336S1E2R7CD01D
GRM0336S1E2R8CD01D
GRM0336S1E2R9CD01D
GRM0336S1E300GD01D
GRM0336S1E300JD01D
GRM0336S1E330GD01D
GRM0336S1E330JD01D
GRM0336S1E360GD01D
GRM0336S1E360JD01D
GRM0336S1E390GD01D
GRM0336S1E390JD01D
GRM0336S1E3R0CD01D
