产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SCR552PT100
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 50mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 500mA,2V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 280MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-121-P-T1
RG2012N-131-P-T1
RG2012N-151-P-T1
RG2012N-161-P-T1
RG2012N-181-P-T1
RG2012N-201-P-T1
RG2012N-221-P-T1
RG2012N-241-P-T1
RG2012N-271-P-T1
RG2012N-301-P-T1
RG2012N-331-P-T1
RG2012N-361-P-T1
RG2012N-391-P-T1
RG2012N-431-P-T1
RG2012N-471-P-T1
RG2012N-511-P-T1
RG2012N-561-P-T1
RG2012N-621-P-T1
RG2012N-681-P-T1
RG2012N-751-P-T1
