产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SCR502U3HZGT106
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 10mA，200mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- UMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 200nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 360MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J6306P80BAT
2211JA250120JGTUYX
VJ1812A222KBCAT4X
VJ1812A152KBCAT4X
VJ1812A152JBCAT4X
CKR05BX393KP
M39014/01-1506
1210J1000564JXT
CDR33BX104AKUM7956
1812JA250222KSTUYX
1812YA250122JSRUYS
CAS17C330KAGFC
1808YA250101GGTSYX
M39014/01-1545V
CKR05BX333MRV
VJ1812Y682KBRAT4X
VJ1812Y472KBRAT4X
VJ1812Y332KBRAT4X
VJ1812Y222KBRAT4X
VJ1812Y152KBRAT4X
