产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FZT855QTA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 355mV @ 500mA,5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 1A,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 1.6 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y1625240R000Q9W
Y16252K00000Q0W
Y16252K23000Q0W
Y16252K77000Q0W
Y1625333R000Q9W
Y16253K70000Q0W
Y16254K02000Q0W
Y16254K17000Q0W
Y16254K53000Q0W
MSP1BN1R000JS14E3
Y112111R0000B0L
Y112112R0000B0L
Y112113R0000B0L
Y112115R0000B0L
Y112119R2000B9L
Y1121270R000B9L
Y1121348R800B0L
Y112138R4000B9L
Y1121487R000B9L
Y11218R20000B0L
