文档与媒体
- 数据列表
- BCP56-16-AU_R2_000A1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 100mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 2.6 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MFP1WSBRD52-3K24
MFP1WSBRD52-3K65
MFP1WSBRD52-3K83
MFP1WSBRD52-3K97
MFP1WSBRD52-400R
MFP1WSBRD52-40K
MFP1WSBRD52-40R
MFP1WSBRD52-42K
MFP1WSBRD52-43K2
MFP1WSBRD52-45K2
MFP1WSBRD52-470R
MFP1WSBRD52-47K
MFP1WSBRD52-499R
MFP1WSBRD52-49K9
MFP1WSBRD52-49R3
MFP1WSBRD52-49R9
MFP1WSBRD52-4K
MFP1WSBRD52-4K096
MFP1WSBRD52-4K22
MFP1WSBRD52-4K48
