产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DSL12AW-7
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 290mV @ 20mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 800mA，1.5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 450 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812J1K00100FCR
1812J1K00100FFR
1812J1K00100FFT
1812J1K00100GAR
1812J1K00100GCR
1812J1K00100GFR
1812J1K00100GFT
1812J1K00100JAR
1812J1K00100JCR
1812J1K00100JFR
1812J1K00100JFT
1812J1K00100KAR
1812J1K00100KCR
1812J1K00100KFR
1812J1K00100KFT
1812J1K00101FAR
1812J1K00101FCR
1812J1K00101FFR
1812J1K00101FFT
1812J1K00101GAR
