产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SBC856BLT3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MP6401DQT-25BD3-LF-Z
MP6401DQT-33AD3-LF-P
MP6401DQT-33AD3-LF-Z
MP6401DQT-33BD3-LF-P
MP6401DQT-33BD3-LF-Z
MP6402DN-LF
MP6402DQT-LF-P
MP6402DQT-LF-Z
MP20045DQ-15-LF-P
MP2009EE-3.3-LF-P
MP20045DN-LF
MP20051DN-LF
LT3015IT#40PBF
AP2112M-1.2TRG1
AP2112M-1.8TRG1
AP2112M-2.5TRG1
AP2112M-2.6TRG1
AP2114D-1.2TRG1
AP2114D-1.8TRG1
AP2114DA-1.8TRG1
