文档与媒体
- 数据列表
- PMST5551,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C1210C823G4HAC7800
GMK212LD105MG-T
1812N471J631CT
1812N681J501CT
1812N681K501CT
1812N821K501CT
GCM2195C1H682JA16J
C0402C301F8JACAUTO
C0402C241F8JACAUTO
C0402C202F8JACAUTO
C0402C201F8JACAUTO
C0402C182F4JACAUTO
C0402C181F4JACAUTO
C0402C162F8JACAUTO
C0402C161F8JACAUTO
C0402C132F8JACAUTO
C0402C131F8JACAUTO
C0402C122F4JACAUTO
C0402C121F4JACAUTO
CC1210GKNPOBBN331
