产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- ZXT849KTC
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 280mV @ 350mA，7A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1A，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-252-3
- 功率 - 最大值 :
- 4.2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 7 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RGT1608P-472-B-T5
RS73G2ATTD3924F
RGT2012P-4752-B-T5
RS73F2ATTD4994D
SR732ETTDR82J
ERJ-P14F3651U
SR732ETTD3R0J
RGT2012P-5491-B-T5
RGT2012P-7871-B-T5
RGT1608P-153-B-T5
RGT1608P-753-B-T5
WK73R2BTTD8250D
RS73G2ATTD2490F
WK73R2BTTD13R0D
WK73R2BTTD3240D
ERJ-P14F71R5U
RGT1608P-7151-B-T5
RGT1608P-124-B-T5
RGT2012P-1691-B-T5
RGT1608P-222-B-T5
