文档与媒体
- 数据列表
- BCP68-25,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 500mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 650 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 170MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y0007402R000Q0L
Y07341R00000B0L
Y07341R00000B9L
Y07341R50000B0L
Y07342R00000B9L
HTS07294005JPB23
HTS07293005JPB23
HTS07293905JPB23
Y1468100R000B9L
Y146810R0000B9L
ERL0718M000GNBS100
ERL0722M000GNBS100
Y09420R20000B9L
RWR80N1501DSBSL
RWR80N1000DSBSL
RWR80N1000DSRSL
RWR80N58R3DSRSL
RWR80N58R3DSBSL
RWR80N56R9DSBSL
RWR80N56R9DSRSL
