产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SMMBT5551LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
865230253005
865230153006
REH0611470M050B
AEA0810471M010R
10YXS220MEFC6.3X11
ECA-2VM010
EEU-FM0J152B
860080375018
865250149006
50THV47M10X10.5
ELXV350EC3270MEB5D
ESMG630ETD221MJ16S
AEA0810471M016R
EKMG500EC31R0ME11D
865060153009
EKMG101EC34R7ME11D
63ZLJ270MG412.5X16
865080753013
EEE-FC1C681P
EKMA350ELL100ME07D
