文档与媒体
- 数据列表
- BC859C,215
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CMF5537R400DHEK
CMF5537R400FHBF
CMF5537R400FHEK
CMF5537R400FKEK
CMF5537R900BHBF
CMF5537R900DHBF
CMF55383K00FKBF
CMF55383K00FKEK
CMF55383R00BHBF
CMF55383R00BHEK
CMF55383R00FHEK
CMF55383R00FKBF
CMF55383R00FKEK
CMF5538K300BHBF
CMF5538K300BHEK
CMF5538K300FEEK
CMF5538K300FHEK
CMF5538K300FKBF
CMF5538K300FKEK
CMF5538K800BEBF
