文档与媒体
- 数据列表
- BC850CW,135
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 420 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G1JRTTD3162C
RS73F1JRTTD3921C
RS73G1JRTTD2401B
RS73G1JRTTD2260C
RS73F1JRTTD2263C
RS73F1JRTTD2322C
RS73F1JRTTD2941C
RS73F1JRTTD1693C
RS73F1JRTTD2212C
RS73G1JRTTD1270C
RS73G1JRTTD22R0B
RS73G1JRTTD2322C
RS73F1JRTTD3012C
RS73F1JRTTD1803B
RS73F1JRTTD2942C
RS73G1JRTTD3161B
RS73F1JRTTD1370C
RS73F1JRTTD3903C
RS73F1JRTTD5103B
RS73F1JRTTD29R4C