产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC856BLT3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M7A3P1000-FGG256I
XC2S200-5FG456I
XC2S200-6FG456C
XC3S1000-5FGG456C
XC3S1000-4FGG456I
XC6SLX45T-2FG484C
LFE2M50E-5FN672C
LFE2M50SE-5FN672C
LFE3-70EA-6LFN672I
LFE3-70EA-7LFN672C
A42MX09-VQG100I
A42MX09-1VQG100
M1AGL1000V2-FG256I
AGL1000V2-FGG256I
AGL1000V2-FG256I
M1AGL1000V2-FGG256I
XC3S2000-5FGG456C
XC3S2000-4FGG456I
XA7A100T-1CSG324I
M2GL050T-1FG896I
