产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DDTB143TU-7-F
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 2.5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 晶体管类型 :
- PNP - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- -
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 4.7 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- 200 MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216N-1652-B-T1
RG3216N-1692-B-T1
RG3216N-1742-B-T1
RG3216N-1782-B-T1
RG3216N-1822-B-T1
RG3216N-1872-B-T1
RG3216N-1912-B-T1
RG3216N-1962-B-T1
RG3216N-2052-B-T1
RG3216N-2102-B-T1
RG3216N-2152-B-T1
RG3216N-2212-B-T1
RG3216N-2262-B-T1
RG3216N-2322-B-T1
RG3216N-2372-B-T1
RG3216N-2432-B-T1
RG3216N-2492-B-T1
RG3216N-2552-B-T1
RG3216N-2612-B-T1
RG3216N-2672-B-T1
