数据列表

NSVDTA115EET1G

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 300µA，10mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

80 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

SC-75，SOT-416

功率 - 最大值 :

200 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-75，SOT-416

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100 mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

100 kOhms

电阻器 - 基极 (R1) :

100 kOhms

频率 - 跃迁 :

-