数据列表

2SK545-11D-TB-E

FET 类型 :

N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

1.5 V @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

60 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1.7pF @ 10V

供应商器件封装 :

SMCP

功率 - 最大值 :

125 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

-

漏极电流 (Id) - 最大值 :

1 mA

漏源电压（Vdss） :

40 V

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

-

电阻 - RDS(On) :

-