产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MV2N4857
产品详情
- FET 类型 :
- N 通道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 6 V @ 500 pA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 100 mA @ 15 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 18pF @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-18(TO-206AA)
- 功率 - 最大值 :
- 360 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-206AA,TO-18-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- 40 V
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 40 V
- 电阻 - RDS(On) :
- 40 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P1JRTTD1960F
SG73P1JRTTD8662F
SG73P1JRTTD51R0F
SG73P1JRTTD431G
SG73P1JRTTD1871F
SG73P1JRTTD1301F
SG73P1JRTTD164G
SG73P1JRTTD30R9F
SG73P1JRTTD6341F
SG73P1JRTTD2321F
SG73P1JRTTD2491F
SG73P1JRTTD62R0F
SG73P1JRTTD1823F
SG73P1JRTTD18R7F
SG73P1JRTTD1580F
SG73P1JRTTD2873F
SG73P1JRTTD6982F
SG73P1JRTTD103G
SG73P1JRTTD3481F
SG73P1JRTTD4700F
