数据列表

SST406 SOIC 8L-TB

FET 类型 :

2 个 N 沟道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

500 mV @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

500 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

8pF @ 15V

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率 - 最大值 :

300 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

50 V

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

50 V

电阻 - RDS(On) :

-