产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RBR20BGE60ATL
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 590 mV @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 600 µA @ 60 V
- 二极管配置 :
- 1 对共阴极
- 供应商器件封装 :
- TO-252GE
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- 150°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） :
- 20A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
FKN1WSJT-52-12R
FKN1WSJT-52-13R
FKN1WSJT-52-15R
FKN1WSJT-52-16R
FKN1WSJT-52-18R
FKN1WSJT-52-1R
FKN1WSJT-52-1R1
FKN1WSJT-52-1R2
FKN1WSJT-52-1R3
FKN1WSJT-52-1R5
FKN1WSJT-52-1R6
FKN1WSJT-52-1R8
FKN1WSJT-52-20R
FKN1WSJT-52-22R
FKN1WSJT-52-24R
FKN1WSJT-52-27R
FKN1WSJT-52-2R
FKN1WSJT-52-2R2
FKN1WSJT-52-2R4
FKN1WSJT-52-2R7
