产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N5820HB0G
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 475 mV @ 3 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 500 µA @ 20 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 200pF @ 4V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- DO-201AD
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- DO-201AD，轴向
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 125°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 3A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
