产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- G3S12002H
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 2 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 1200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 136pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-220F
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-2 整包
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 7.3A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y000754K0000B0L
Y000761K0000B0L
Y000764K0000B0L
Y000764K0000B9L
Y000765K0000B9L
Y000766K0000B0L
Y000768K1000B0L
Y000770K0000B0L
Y000770K0000B139L
Y000774K0000B0L
Y078520K8000B9L
Y078521K5000B0L
Y078521K5000B9L
Y078522K2000B0L
Y078523K2000B0L
Y078524K3000B0L
Y078524K9000B0L
Y078525K5100B9L
Y078526K1000B0L
Y078526K7000B0L
