产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MBR10U100HHE3-TP
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 850 mV @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 10 µA @ 100 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 320pF @ 4V， 1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-277
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-277，3-PowerDFN
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 10A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E12B16E5RT3
M55342E12B1B82RT3
M55342E12B20E0RT3
M55342E12B24B9RT3
M55342E12B25B5RT3
M55342E12B27B4RT3
M55342E12B2B49RT3
M55342E12B31B2RT3
M55342E12B33B2RT3
M55342E12B39B7RT3
M55342E12B3B92RT3
M55342E12B4B75RT3
M55342E12B4E75RT3
M55342E12B52B3RT3
M55342E12B66B5RT3
M55342E12B6B04RT3
M55342E12B9E31RT3
M55342E06B620ART3
D55342E07B4B48RT3
D55342E07B89B8RT3
