产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BZD17C12P RTG
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.2 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 3 µA @ 9.1 V
- 供应商器件封装 :
- Sub SMA
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- ±5.41%
- 封装/外壳 :
- DO-219AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C（TJ）
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 12 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 7 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
NVLJWS011N04CLTAG
NVLJWS022N06CLTAG
PJD50P04_L2_00001
SIHFR9310TRL-GE3
SI4155DY-T1-GE3
RW4C045BCTCL1
NTMFS4C810NAT3G
DMP3007SFG-13
MCG65N03-TP
FDMA410NZT-F130
RV5A040APTCR1
SIR1309DP-T1-GE3
SIS4608LDN-T1-GE3
SQS142ENW-T1_GE3
PJD50N10AL_L2_00001
STS1NK60Z
SUD09P10-195-GE3
MCU20N10-TP
PJQ5466A1-AU_R2_000A1
PJD50N04-AU_L2_000A1
