- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 176 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 1200V 1... |
1 | 1,112 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 107A 366W TO... |
1 | 78 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 130... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 107A 366W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT PRODUCTS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A DIE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
