- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT NPT 1200V 35A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 600V 10A 60W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
