数据列表

HGT1S10N120BNS

25°C 时 Td（开/关）值 :

23ns/165ns

IGBT 类型 :

NPT

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.7V @ 15V，10A

供应商器件封装 :

D²PAK（TO-263）

功率 - 最大值 :

298 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

开关能量 :

320µJ（开），800µJ（关）

栅极电荷 :

100 nC

测试条件 :

960V，10A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

35 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

80 A

输入类型 :

标准