- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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466 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 6.6... |
1 | 817 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
1 | 490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC45N04S6N070HATM... |
1 | 439 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 4.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 8-SO... |
1 | 14,989 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC60N04S6L045HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HYBRID PACK DRIV... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.5... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 16... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
