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BSZ15DC02KDHXTMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5.1A，3.2A

FET 功能 :

逻辑电平栅极，2.5V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.4V @ 110µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

55 毫欧 @ 5.1A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

419pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

2.8nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PG-TSDSON-8-FL

功率 - 最大值 :

2.5W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道互补型