- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 134,845 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 1.3... |
1 | 95,486 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.8... |
1 | 196,710 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 6.5... |
1 | 32,331 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 14,171 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 8A... |
1 | 131,154 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.2... |
1 | 47,157 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.8... |
1 | 65,468 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 8V~24V TSOT... |
1 | 2,262 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V-2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
