- 品牌：
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- Diodes Incorporated (25)
- ON Semiconductor (79)
- Vishay / Siliconix (64)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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196 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 12A... |
1 | 4,400 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V PW... |
1 | 6,410 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A... |
1 | 4,610 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.8... |
1 | 45 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A... |
1 | 2,825 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 30A... |
1 | 2,214 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
1 | 2,780 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3... |
1 | 1,424 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P+P -30V,RD(MAX)<60M@... |
1 | 7,866 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4... |
1 | 3,870 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.9... |
1 | 1,739 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9... |
1 | 972 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 313 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
1 | 153 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 18.... |
1 | 243 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFETDUAL N-CHA... |
1 | 245 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4... |
1 | 107 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
1 | 754 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 2 P-CH 30V 4.... |
1 | 175 | 加入询价 |
