- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 39,566 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 6,745 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A... |
1 | 72,449 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A ... |
1 | 28,458 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 8.1A... |
1 | 31,829 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 71,886 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 300M... |
1 | 211,086 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 430M... |
1 | 41,242 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 26,568 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 27,835 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 66,882 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.44... |
1 | 3,050 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
1 | 13,649 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.2A... |
1 | 56,104 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.1... |
1 | 14,015 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.5A... |
1 | 4,340 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150M... |
1 | 46,127 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.7A... |
1 | 9,236 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.1A... |
1 | 3,429 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 20,807 | 加入询价 |
