- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 56,583 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 250M... |
1 | 1,184,615 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 9,192 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50M... |
1 | 274,857 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A... |
1 | 126,009 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
1 | 117,122 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 530M... |
1 | 57,509 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
1 | 12,353 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 63,030 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.1A... |
1 | 14,628 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 3.2A... |
1 | 17,924 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 15,583 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 700M... |
1 | 3,948 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 28,199 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
1 | 3,327 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 540M... |
1 | 91,741 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5... |
1 | 80,635 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 47,785 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 48,104 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 330M... |
1 | 131,821 | 加入询价 |
