- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 128,897 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 220M... |
1 | 53,657 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 1,008,712 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540M... |
1 | 402,374 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 145,341 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.4A... |
1 | 39,538 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.8A... |
1 | 975,064 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 411,209 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.7A... |
1 | 204,148 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 70,886 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 12,021 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440M... |
1 | 96,869 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 806,191 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.2A... |
1 | 430,255 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 143,490 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.3A... |
1 | 61,545 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 300M... |
1 | 898,909 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A... |
1 | 380,254 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 260M... |
1 | 103,087 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 45V 4.8A... |
1 | 149,195 | 加入询价 |
