- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.6A... |
1 | 939 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.8A... |
1 | 62 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 66 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 862 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.4A... |
1 | 115 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 3.8A... |
1 | 519 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.7A... |
1 | 609 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 260M... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 750M... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750M... |
1 | 229 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 470M... |
1 | 149 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A... |
1 | 371 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 663 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 981 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
1 | 574 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 4A ... |
1 | 134 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 21A... |
1 | 223 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.3... |
1 | 263 | 加入询价 |
