- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 2,979 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A... |
1 | 1,521 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.5A... |
1 | 1,488 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.8A... |
1 | 1,830 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.3A... |
1 | 1,890 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,380 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 11.1... |
1 | 1,583 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 70A... |
1 | 2,990 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V PW... |
1 | 1,896 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.3A... |
1 | 1,280 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 2,860 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.6... |
1 | 9,230 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A... |
1 | 3,543 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.4... |
1 | 1,938 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A... |
1 | 1,940 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 1,358 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 1,890 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5... |
1 | 1,455 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2... |
1 | 1,990 | 加入询价 |
