- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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2,354 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
1 | 397 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 6,250 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,762 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.6A... |
1 | 2,300 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,049 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,824 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100M... |
1 | 2,962 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,995 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,294 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 2,136 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 4A ... |
1 | 1,536 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,433 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 12,531 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 900M... |
1 | 2,104 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50M... |
1 | 1,453 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 6.5A... |
1 | 1,381 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.9A... |
1 | 1,046 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 6A ... |
1 | 2,382 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 8.6A... |
1 | 1,918 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 1.6A... |
1 | 1,610 | 加入询价 |
